Disque Dur SSD SAMSUNG 870 QVO 4To 2,5 SATA3 * MZ-77Q4T0BW

Le stockage de masse, enfin digne du SSD

Le Samsung 870 QVO 4 To répond à une question simple : pourquoi se contenter d’un disque dur mécanique lent quand on peut profiter de vitesses SSD pour stocker sa photothèque, sa ludothèque Steam ou ses fichiers de travail volumineux ? Grâce à sa technologie NAND V-NAND QLC 4 bits par cellule et à son interface SATA III, il délivre des débits séquentiels jusqu’à 560 Mo/s en lecture et 530 Mo/s en écriture — bien au-delà de ce qu’un HDD classique peut offrir.

Intelligent Buffer : le secret de la constance

Samsung intègre dans le 870 QVO un cache SLC dynamique appelé Intelligent TurboWrite. Cette couche tampon permet d’écrire les données en mode SLC (1 bit par cellule) dans un premier temps, garantissant des performances élevées lors des transferts courants. Une fois le cache saturé sur les écritures prolongées, le contrôleur Samsung MKX reprend la main pour maintenir une stabilité exemplaire. Résultat : des transferts fluides au quotidien, que vous copiiez 10 fichiers ou 100 Go d’un coup.

Fiabilité et endurance pour un usage multimédia intensif

Conçu pour un usage secondaire ou de stockage principal, le 870 QVO affiche une endurance de 1 440 TBW (Terabytes Written) sur le modèle 4 To — ce qui, à raison d’une centaine de Go écrits par jour, représente plus de 39 ans d’utilisation. Samsung accompagne ce SSD d’une garantie constructeur de 3 ans et d’un logiciel de gestion Samsung Magician pour surveiller l’état du disque, optimiser les performances et gérer le chiffrement AES 256 bits intégré.

Format universel, installation express

Au format 2,5″ standard (7 mm d’épaisseur), le 870 QVO s’installe sans outil dans la quasi-totalité des boîtiers PC, des stations de travail et des NAS compatibles. Un simple câble SATA et une alimentation SATA suffisent. Idéal pour upgrader un ancien laptop ou enrichir un PC fixe déjà équipé d’un SSD NVMe pour le système.

• Capacité : 4 000 Go (4 To)
• Interface : SATA III 6 Gb/s
• Lecture séquentielle : jusqu’à 560 Mo/s
• Écriture séquentielle : jusqu’à 530 Mo/s
• Technologie NAND : V-NAND QLC (4-bit MLC)
• Contrôleur : Samsung MKX
• Endurance : 1 440 TBW
• Chiffrement : AES 256 bits (TCG Opal, IEEE 1667)
• Format : 2,5″ — 7 mm
• Garantie : 3 ans constructeur