Disque Dur SSD SAMSUNG 9100 PRO 1To M.2 NVMe PCIe 5.0 * MZ-VAP1T0BW
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PCIe 5.0 : la nouvelle ère du stockage haute performance
Avec le Samsung 9100 Pro, Samsung franchit une nouvelle étape dans l’évolution du stockage SSD. Conçu autour de l’interface PCIe 5.0 x4, ce modèle double les bandes passantes disponibles par rapport à la génération PCIe 4.0, atteignant des vitesses de lecture séquentielle annoncées jusqu’à 14 800 Mo/s. Un niveau de performance réservé jusqu’ici aux environnements professionnels les plus exigeants, désormais accessible sur plateforme grand public.
Taillé pour les charges de travail intensives
Montage de vidéo en 8K, compilation de projets volumineux, virtualisation, gaming compétitif avec temps de chargement quasi nuls : le 9100 Pro s’adresse à ceux qui ne veulent plus attendre. Son contrôleur maison Samsung, associé à une mémoire NAND V-NAND 6e génération, garantit non seulement des débits records mais aussi une endurance et une fiabilité à la hauteur d’un usage quotidien intensif. La technologie Intelligent TurboWrite 2.0 maintient des performances élevées même sur des transferts de longue durée.
Thermique maîtrisée, format compact
Le format M.2 2280 s’intègre discrètement dans tout système compatible, qu’il s’agisse d’une carte mère ATX haut de gamme, d’un PC compact ou d’un laptop professionnel. Samsung a soigné la gestion thermique avec un firmware optimisé pour limiter le throttling, même en l’absence de dissipateur actif. Le 9100 Pro est compatible avec les plateformes Intel Core Ultra et AMD Ryzen 9000 supportant le PCIe 5.0.
Caractéristiques clés
- Interface : M.2 NVMe PCIe 5.0 x4 (rétrocompatible PCIe 4.0 / 3.0)
- Capacité : 1 To
- Lecture séquentielle : jusqu’à 14 800 Mo/s
- Écriture séquentielle : jusqu’à 13 400 Mo/s
- Lecture aléatoire (IOPS) : jusqu’à 2 200 000 IOPS
- Écriture aléatoire (IOPS) : jusqu’à 2 600 000 IOPS
- Mémoire NAND : V-NAND 6e génération (TLC)
- Endurance : 600 TBW
- Chiffrement matériel AES 256 bits
- Garantie constructeur : 5 ans
- Référence : MZ-VAP1T0BW — EAN : 8806095811628
Général
| Marque | Samsung |
| Modèle | 9100 Pro |
| Référence fabricant | MZ-VAP1T0BW |
| EAN | 8806095811628 |
| Catégorie | SSD interne M.2 |
| Capacité | 1 To (1 000 Go) |
| Type de mémoire NAND | Samsung V-NAND TLC |
| Cache DRAM | Oui (intégré) |
Performances
| Lecture séquentielle max | 14 800 Mo/s |
| Écriture séquentielle max | 13 400 Mo/s |
| Lecture aléatoire (IOPS) | 2 200 000 IOPS |
| Écriture aléatoire (IOPS) | 2 400 000 IOPS |
| Endurance (TBW) | 600 TBW |
| MTBF | 1 500 000 heures |
| Chiffrement matériel | AES 256 bits, TCG Opal 2.0 |
| Compatibilité NVMe | NVMe 2.0 |
Connectique & Compatibilité
| Interface | PCIe 5.0 x4 |
| Format | M.2 2280 |
| Connecteur | M Key |
| Rétrocompatibilité | PCIe 4.0 / PCIe 3.0 (performances réduites) |
| Plateformes compatibles | Intel LGA1851 (Arrow Lake), AMD AM5 (PCIe 5.0 requis) |
| Systèmes d'exploitation | Windows 10/11, Linux |
Caractéristiques physiques
| Dimensions | 80 x 22 x 3,5 mm (avec dissipateur) |
| Poids | environ 14 g (avec dissipateur) |
| Dissipateur thermique | Oui, intégré en façade |
| Couleur | Noir |
| Consommation max (lecture) | 9,5 W (estimé) |
| Consommation veille | < 5 mW |
| Température de fonctionnement | 0 °C à 70 °C |
| Température de stockage | -40 °C à 85 °C |
| Résistance aux chocs | 1 500 G / 0,5 ms |
Garantie & Support
| Garantie constructeur | 5 ans |
| Support Samsung | samsung.com/fr |
| Logiciel inclus | Samsung Magician (gestion, diagnostic, migration) |
