Disque Dur SSD SAMSUNG 9100 PRO 2To M.2 NVMe PCIe 5.0 * MZ-VAP2T0BW
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La nouvelle référence PCIe 5.0 est là
Avec le 990 PRO, Samsung avait posé un jalon sérieux. Avec le 9100 PRO, la marque franchit un palier technologique supplémentaire en adoptant pleinement le bus PCIe 5.0 x4. Résultat : des débits de lecture séquentielle pouvant atteindre 14 600 Mo/s et des écritures jusqu’à 13 400 Mo/s, soit environ deux fois les performances des meilleurs PCIe 4.0 actuels. Pour les créateurs, monteurs 4K/8K, ingénieurs ou gamers exigeants, le goulot d’étranglement vient de changer de niveau.
Un contrôleur maison, une NAND maison
Samsung conçoit de A à Z ses solutions de stockage : le 9100 PRO repose sur le contrôleur propriétaire Pascari et des puces NAND V-NAND de dernière génération. Cette intégration verticale garantit une synergie optimale entre le firmware, le contrôleur et la mémoire flash, se traduisant par des latences réduites, une endurance élevée et une gestion thermique maitrisée même sous charge soutenue. Le facteur de forme M.2 2280 et l’interface NVMe 2.0 assurent une compatibilité large avec les cartes mères Intel Z890 / X870 et les plateformes AMD AM5 ou Intel LGA1851.
Endurance et fiabilité pensées pour durer
Le 9100 PRO 2 To affiche une endurance annoncée de 1 200 TBW (Terabytes Written), ce qui en fait un choix solide pour les environnements de production intensifs. La MTBF de 1,5 million d’heures et la garantie constructeur de 5 ans complètent un tableau rassurant pour quiconque confie ses données critiques à ce SSD. La gestion dynamique du cache SLC et les algorithmes d’égalisation d’usure de Samsung prolongent la durée de vie des cellules NAND dans le temps.
Caractéristiques clés
- Capacité : 2 To
- Interface : M.2 2280 — NVMe PCIe 5.0 x4
- Lecture séquentielle : jusqu’à 14 600 Mo/s
- Écriture séquentielle : jusqu’à 13 400 Mo/s
- Lecture aléatoire (IOPS) : jusqu’à 2 200 000 IOPS
- Écriture aléatoire (IOPS) : jusqu’à 2 600 000 IOPS
- Endurance : 1 200 TBW
- MTBF : 1 500 000 heures
- Contrôleur : Samsung Pascari (propriétaire)
- Mémoire Flash : Samsung V-NAND TLC
- Garantie : 5 ans constructeur
Général
| Marque | Samsung |
| Modèle | 9100 Pro |
| Référence constructeur | MZ-VAP2T0BW |
| EAN | 8806095811710 |
| Catégorie | SSD interne M.2 NVMe |
| Capacité | 2 000 Go (2 To) |
| Technologie flash | V-NAND TLC (Triple Level Cell) |
| Contrôleur | Samsung Proprietary (gen PCIe 5.0) |
| Cache DRAM | Oui (DRAM embarquée) |
Performances
| Vitesse de lecture séquentielle | Jusqu'à 14 600 Mo/s |
| Vitesse d'écriture séquentielle | Jusqu'à 13 400 Mo/s |
| Lecture aléatoire (4K) | Jusqu'à 2 200 000 IOPS |
| Écriture aléatoire (4K) | Jusqu'à 2 600 000 IOPS |
| Endurance (TBW) | 1 200 TBW |
| MTBF | 1 500 000 heures |
| Gestion thermique | Contrôle thermique dynamique intégré |
| Chiffrement matériel | AES 256 bits (classe TCG Opal 2.0) |
| Compatibilité logicielle | Samsung Magician Software |
Connectique & Compatibilité
| Interface | M.2 NVMe PCIe 5.0 x4 |
| Protocole | NVMe 2.0 |
| Format (Form Factor) | M.2 2280 |
| Clé M.2 | M Key |
| Rétrocompatibilité | PCIe 4.0 x4 / PCIe 3.0 x4 (performances réduites) |
| Compatibilité OS | Windows 10/11, Linux |
| Dissipateur inclus | Non (compatible dissipateurs carte mère) |
Caractéristiques physiques
| Dimensions | 80 x 22 x 2,38 mm |
| Poids | Environ 10 g |
| Couleur | Noir |
| Consommation en veille | Environ 50 mW |
| Consommation en lecture/écriture | Environ 9,5 W (pic) |
| Température de fonctionnement | 0°C à 70°C |
| Température de stockage | -40°C à 85°C |
| Résistance aux chocs | 1 500 G / 0,5 ms |
Garantie
| Garantie constructeur | 5 ans |
| Support | Samsung France / Support constructeur |
