SAMSUNG Réf. HD_SSD_SAM_VAP4T0B

Disque Dur SSD SAMSUNG 9100 PRO 4To M.2 NVMe PCIe 5.0 * MZ-VAP4T0BW

SSD M.2 NVMe PCIe 5.0 ultra-rapide en 4 To — jusqu'à 14 800 Mo/s en lecture. La référence professionnelle de Samsung pour les workstations et PC gaming haut de gamme.
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La vitesse PCIe 5.0 enfin accessible à grande capacité

Avec le Samsung 9100 PRO, la marque coréenne franchit un nouveau cap. Ce SSD M.2 2280 s’appuie sur l’interface PCIe 5.0 x4 pour délivrer des débits séquentiels atteignant 14 800 Mo/s en lecture et 13 400 Mo/s en écriture — des chiffres qui redéfinissent ce qu’on attend d’un stockage local. En 4 To, il offre de l’espace pour les projets vidéo, les bibliothèques de jeux volumineuses et les environnements de développement exigeants.

Une architecture conçue pour durer sous charge

Le 9100 PRO embarque la dernière génération de puces NAND V-NAND Samsung associée à un contrôleur maison optimisé pour PCIe 5.0. La gestion thermique est soignée : le SSD intègre un système de dissipation passive et un firmware intelligent qui préserve les performances même lors de transferts prolongés. L’endurance est calibrée pour les usages professionnels intensifs, avec une durée de vie exprimée en TBW largement au-dessus de la moyenne du marché pour ce format.

Compatible avec les plateformes Intel et AMD dernière génération

Le Samsung 9100 PRO est conçu pour les plateformes supportant le PCIe 5.0 : Intel Core de 12e génération et supérieure (Z690/Z790), AMD Ryzen 7000/9000 (X670E/B650E). Il reste rétrocompatible PCIe 4.0 et 3.0, sans pénalité d’installation. Le slot M.2 type 2280 est universel. Le SSD est livré avec le logiciel Samsung Magician pour le monitoring, la mise à jour firmware et la gestion des performances.

Caractéristiques clés

  • Interface : M.2 2280, NVMe PCIe 5.0 x4
  • Capacité : 4 To
  • Lecture séquentielle : jusqu’à 14 800 Mo/s
  • Écriture séquentielle : jusqu’à 13 400 Mo/s
  • Lecture aléatoire (4K) : jusqu’à 2 200 000 IOPS
  • Écriture aléatoire (4K) : jusqu’à 2 600 000 IOPS
  • Technologie NAND : V-NAND TLC Samsung
  • Chiffrement : AES 256 bits, TCG/Opal 2.0
  • Compatibilité logicielle : Samsung Magician inclus
  • Garantie constructeur : 5 ans

Général

MarqueSamsung
Modèle9100 Pro
Référence constructeurMZ-VAP4T0BW
EAN8806095811703
CatégorieSSD interne M.2
Système d'exploitation compatibleWindows 10/11, Linux
Logiciel inclusSamsung Magician

Performances

Capacité4 To (4 000 Go)
Lecture séquentielle (max)14 800 Mo/s
Écriture séquentielle (max)13 400 Mo/s
Lecture aléatoire (IOPS)2 200 000 IOPS
Écriture aléatoire (IOPS)2 500 000 IOPS
Type de mémoire NANDV-NAND TLC 8e génération
ContrôleurSamsung (propriétaire)
Cache DRAMOui (LPDDR5)
Technologie de cache dynamiqueIntelligent TurboWrite
Endurance (TBW)2 400 TBW
MTTF (fiabilité)1 500 000 heures
Correction d'erreursLDPC ECC
Protection coupure secteurOui (Power Loss Protection)

Connectique & Interface

InterfaceNVMe PCIe 5.0 x4
ProtocoleNVMe 2.0
FormatM.2 2280
Clé M.2M Key
RétrocompatibilitéPCIe 4.0, PCIe 3.0 (débit réduit)

Sécurité

Chiffrement matérielAES 256 bits
Standard de sécuritéTCG Opal 2.0
Compatible Microsoft eDriveOui
Secure EraseOui (via Samsung Magician)

Caractéristiques physiques

Dimensions80 x 22 x 3,5 mm
PoidsEnviron 10 g
Consommation active (max)9,5 W
Consommation veille (L1.2)5 mW
Température de fonctionnement0°C à 70°C
Température de stockage-40°C à 85°C

Garantie

Garantie constructeur5 ans
Type de garantieRetour atelier fabricant
Condition d'endurance garantie2 400 TBW ou 5 ans (selon le premier terme atteint)