
Disque Dur SSD SAMSUNG 9100 PRO 4To M.2 NVMe PCIe 5.0 * MZ-VAP4T0BW
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La vitesse PCIe 5.0 enfin accessible à grande capacité
Avec le Samsung 9100 PRO, la marque coréenne franchit un nouveau cap. Ce SSD M.2 2280 s’appuie sur l’interface PCIe 5.0 x4 pour délivrer des débits séquentiels atteignant 14 800 Mo/s en lecture et 13 400 Mo/s en écriture — des chiffres qui redéfinissent ce qu’on attend d’un stockage local. En 4 To, il offre de l’espace pour les projets vidéo, les bibliothèques de jeux volumineuses et les environnements de développement exigeants.
Une architecture conçue pour durer sous charge
Le 9100 PRO embarque la dernière génération de puces NAND V-NAND Samsung associée à un contrôleur maison optimisé pour PCIe 5.0. La gestion thermique est soignée : le SSD intègre un système de dissipation passive et un firmware intelligent qui préserve les performances même lors de transferts prolongés. L’endurance est calibrée pour les usages professionnels intensifs, avec une durée de vie exprimée en TBW largement au-dessus de la moyenne du marché pour ce format.
Compatible avec les plateformes Intel et AMD dernière génération
Le Samsung 9100 PRO est conçu pour les plateformes supportant le PCIe 5.0 : Intel Core de 12e génération et supérieure (Z690/Z790), AMD Ryzen 7000/9000 (X670E/B650E). Il reste rétrocompatible PCIe 4.0 et 3.0, sans pénalité d’installation. Le slot M.2 type 2280 est universel. Le SSD est livré avec le logiciel Samsung Magician pour le monitoring, la mise à jour firmware et la gestion des performances.
Caractéristiques clés
- Interface : M.2 2280, NVMe PCIe 5.0 x4
- Capacité : 4 To
- Lecture séquentielle : jusqu’à 14 800 Mo/s
- Écriture séquentielle : jusqu’à 13 400 Mo/s
- Lecture aléatoire (4K) : jusqu’à 2 200 000 IOPS
- Écriture aléatoire (4K) : jusqu’à 2 600 000 IOPS
- Technologie NAND : V-NAND TLC Samsung
- Chiffrement : AES 256 bits, TCG/Opal 2.0
- Compatibilité logicielle : Samsung Magician inclus
- Garantie constructeur : 5 ans
Général
| Marque | Samsung |
| Modèle | 9100 Pro |
| Référence constructeur | MZ-VAP4T0BW |
| EAN | 8806095811703 |
| Catégorie | SSD interne M.2 |
| Système d'exploitation compatible | Windows 10/11, Linux |
| Logiciel inclus | Samsung Magician |
Performances
| Capacité | 4 To (4 000 Go) |
| Lecture séquentielle (max) | 14 800 Mo/s |
| Écriture séquentielle (max) | 13 400 Mo/s |
| Lecture aléatoire (IOPS) | 2 200 000 IOPS |
| Écriture aléatoire (IOPS) | 2 500 000 IOPS |
| Type de mémoire NAND | V-NAND TLC 8e génération |
| Contrôleur | Samsung (propriétaire) |
| Cache DRAM | Oui (LPDDR5) |
| Technologie de cache dynamique | Intelligent TurboWrite |
| Endurance (TBW) | 2 400 TBW |
| MTTF (fiabilité) | 1 500 000 heures |
| Correction d'erreurs | LDPC ECC |
| Protection coupure secteur | Oui (Power Loss Protection) |
Connectique & Interface
| Interface | NVMe PCIe 5.0 x4 |
| Protocole | NVMe 2.0 |
| Format | M.2 2280 |
| Clé M.2 | M Key |
| Rétrocompatibilité | PCIe 4.0, PCIe 3.0 (débit réduit) |
Sécurité
| Chiffrement matériel | AES 256 bits |
| Standard de sécurité | TCG Opal 2.0 |
| Compatible Microsoft eDrive | Oui |
| Secure Erase | Oui (via Samsung Magician) |
Caractéristiques physiques
| Dimensions | 80 x 22 x 3,5 mm |
| Poids | Environ 10 g |
| Consommation active (max) | 9,5 W |
| Consommation veille (L1.2) | 5 mW |
| Température de fonctionnement | 0°C à 70°C |
| Température de stockage | -40°C à 85°C |
Garantie
| Garantie constructeur | 5 ans |
| Type de garantie | Retour atelier fabricant |
| Condition d'endurance garantie | 2 400 TBW ou 5 ans (selon le premier terme atteint) |