Disque Dur SSD SAMSUNG 990 EVO Plus 2To M.2 NVMe * MZ-V9S2T0BW
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Une nouvelle génération de vitesse au format compact
Le Samsung 990 EVO Plus 2 To marque une évolution significative dans la gamme EVO. Conçu pour les utilisateurs exigeants qui veulent le meilleur rapport performances/prix sur interface M.2 NVMe, il exploite la double interface PCIe 5.0 x2 / PCIe 4.0 x4 pour atteindre des débits séquentiels en lecture allant jusqu’à 7 250 Mo/s et en écriture jusqu’à 6 300 Mo/s. Un bond en avant conséquent par rapport à la génération précédente, sans nécessiter une carte mère haut de gamme PCIe 5.0 x4 pure.
Pensé pour le gaming et la création de contenu
Que vous chargiez des mondes ouverts en quelques secondes sur votre PC ou votre PS5, que vous montiez des vidéos en 4K ou que vous transférez des fichiers volumineux au quotidien, le 990 EVO Plus encaisse la charge sans broncher. Grâce à la technologie Samsung V-NAND TLC de dernière génération et à son contrôleur maison optimisé, les temps de latence restent extrêmement faibles même sous utilisation intensive prolongée.
Endurance et fiabilité à la Samsung
Samsung intègre ses technologies éprouvées : le cache SLC dynamique pour maintenir les pics de performance lors des transferts massifs, et la technologie ThermalGuard pour réguler la chauffe du SSD dans les boîtiers à faible ventilation. Avec un TBW (Terabytes Written) de 1 200 To et une garantie constructeur de 5 ans, ce SSD est taillé pour durer. Le logiciel Samsung Magician permet de surveiller l’état du disque et d’optimiser ses performances en quelques clics.
Installation simple, compatibilité universelle
Au format M.2 2280 standard, il s’installe sans outil dans la quasi-totalité des cartes mères et consoles compatibles NVMe. Pas besoin d’adaptateur, pas de câble : vous glissez, vous vissez, vous démarrez.
- Capacité : 2 To
- Interface : PCIe 5.0 x2 / PCIe 4.0 x4 NVMe 2.0
- Lecture séquentielle : jusqu’à 7 250 Mo/s
- Écriture séquentielle : jusqu’à 6 300 Mo/s
- Format : M.2 2280
- Mémoire NAND : Samsung V-NAND TLC
- TBW : 1 200 To
- Compatibilité : PC, PS5
- Garantie : 5 ans
Général
| Marque | Samsung |
| Modèle | 990 EVO Plus |
| Référence fabricant | MZ-V9S2T0BW |
| EAN | 8806095575650 |
| Capacité | 2 To (2 000 Go) |
| Type de mémoire | Samsung V-NAND TLC 3D |
| Contrôleur | Samsung Elpis (propriétaire) |
| Logiciel inclus | Samsung Magician |
Performances
| Vitesse de lecture séquentielle | 7 250 Mo/s |
| Vitesse d'écriture séquentielle | 6 300 Mo/s |
| Lecture aléatoire (4K) | 1 000 000 IOPS |
| Écriture aléatoire (4K) | 1 400 000 IOPS |
| Cache SLC | Oui, dynamique |
| TBW (endurance) | 1 200 To |
| MTBF | 1 500 000 heures |
| Technologie thermique | Samsung ThermalGuard |
Connectique & Compatibilité
| Interface | PCIe 5.0 x2 / PCIe 4.0 x4 |
| Protocole | NVMe 2.0 |
| Format | M.2 2280 |
| Compatibilité console | PlayStation 5 (PS5) |
| Compatibilité PC | Oui (Windows 10/11, Linux) |
| Rétrocompatibilité PCIe 3.0 | Non recommandé (performances réduites) |
| Chiffrement matériel | AES 256 bits |
Caractéristiques physiques
| Dimensions | 80 x 22 x 2,38 mm |
| Poids | environ 10 g |
| Facteur de forme | M.2 2280 (simple face) |
| Dissipateur inclus | Non |
| Consommation en lecture | 6,0 W |
| Consommation en veille | 0,005 W |
| Température de fonctionnement | 0°C à 70°C |
| Température de stockage | -40°C à 85°C |
| Résistance aux chocs | 1 500 G / 0,5 ms |
Garantie
| Garantie constructeur | 5 ans |
| Support Samsung | Oui, via Samsung Magician et site officiel |
